| 产品特性：耐受酸碱 | 加工定制：否 | 品牌：南京瑞尼克 |
| 型号：PFA-HL4c | 用途：酸碱蚀刻、清洗 | 别名：硅片清洗架 |
| 电解液导电质：酸 | 规格：4寸 | 颜色：半透明 |
| 片数：25PCS | 配套仪器：蚀刻机 | 等级：A级 |
| 耐温：-200°C~260℃ |
PFA花篮蚀刻机配套硅片晶圆片清洗承接架4寸25片可定制
用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花蓝、太阳能硅片花蓝_太阳能硅片承载器、光伏电池片花蓝、光伏硅片花蓝，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片。
其中刻蚀方法分为：干法刻蚀和湿法刻蚀，湿法刻蚀是将被刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术，这是各向同性的刻蚀方法，利用化学反应过程去除待刻蚀区域的薄膜材料，通常SiO2采用湿法刻蚀技术，有时金属铝也采用湿法刻蚀技术，国内的苏州华林科纳在湿法这块做得比较好。
下面分别介绍各种薄膜的腐蚀方法流程：
二氧化硅腐蚀：
在二氧化硅硅片腐蚀机中进行，国内目前腐蚀机做的比较好的有苏州华林科纳，腐蚀液是由HF、NH4F、与H2O按一定比例配成的缓冲溶液。腐蚀温度一定时，腐蚀速率取决于腐蚀液的配比和SiO2掺杂情况。掺磷浓度越高，腐蚀越快，掺硼则相反。SiO2腐蚀速率对温度***敏感，温度越高，腐蚀越快。
具体步骤为：
1、华林科纳设备工程师认为将装有待腐蚀硅片的片架放入浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃动，浸润剂（FUJI FILM DRIWEL）的作用是减小硅片的表面张力，使得腐蚀液更容易和二氧化硅层接触，从而达到充分腐蚀；
2、将片架放入装有二氧化硅腐蚀液（氟化铵溶液）的槽中浸泡，上下晃动片架使得二氧化硅腐蚀更充分，腐蚀时间可以调整，直到二氧化硅腐蚀干净为止；
3、冲纯水；
4、甩干。
二氧化硅腐蚀机理为：
H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的络合物，利用这个性质可以很容易通过光刻工艺实现选择性腐蚀二氧化硅。为了获得稳定的腐蚀速率，腐蚀二氧化硅的腐蚀液一般用HF、NH4F与纯水按一定比例配成缓冲液。
